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IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuit intégré à N canaux Transistor Mosfet

IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuit intégré à N canaux Transistor Mosfet

Le circuit intégré IPD082N10N3 Ic

Circuit intégré d'IC

Les émetteurs-récepteurs doivent être équipés d'un système de détection de la pollution atmosphérique.

Lieu d'origine:

Original

Nom de marque:

INFINEON

Numéro de modèle:

IPD082N10N3

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Détails de produit
qualité ::
Inutilisé tout neuf
Paquet/boîte ::
TO-252
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min
1PCS
Prix
Negotiate
Détails d'emballage
4000
Délai de livraison
3
Courant
8000+
Conditions de paiement
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement
57830pcs
Description du produit

ISO9001.pdf

IPD082N10N3 est un transistor MOSFET à canal N. Voici ses applications, ses conclusions et ses paramètres:
Applications:
Utilisé comme interrupteur de charge haute tension et haute puissance
Utilisé comme interrupteur pour les convertisseurs et régulateurs
Conclusion:
Capacité à haute tension: Vds=100V
Faible résistance à la conduction: Rds (on) = 8,2m Ω (typique)
La vitesse de commutation rapide: td (allumée) = 16 ns (typique), td (éteinte) = 60 ns (typique)
Performance à haute température: peut fonctionner à des températures allant jusqu'à 175 °C
Conforme aux directives RoHS et aux exigences sans plomb
Paramètres:
Vds (tension de la source de vidange): 100V
Vgs (tension de la source de la porte): ± 20V
Id (courant de vidange): 80A
Rds (allumé) (résistance de conduction): 8,2 m Ω (typique)
Qg (charge de la porte): 135nC (typique)
Td (on) (temps de retard de démarrage): 16 ns (typique)
Td (arrêt) (temps de retard d'arrêt): 60 ns (typique)
Tj (température de jonction): 175 °C
Conforme aux directives RoHS et aux exigences sans plomb.

Spécifications techniques du produit
RoHS de l'UE Conforme à l'exemption聽
Nom de l'organisme EAR99
Statut de la partie Non confirmé
SVHC - Oui, oui.
SVHC dépasse le seuil - Oui, oui.
Automobiles - Pas connu
PPAP - Pas connu
Catégorie de produits MOSFET de puissance
Configuration Unique
Technologie des procédés OptiMOS 3
Mode de chaîne Amélioration
Type de canal N
Nombre d'éléments par puce 1
Voltage maximal de la source de vidange (V) 100
Voltage maximal de la source de sortie (V) ¥20
Voltage de seuil de sortie maximal (V) 3.5
Courant de drainage continu maximum (A) 80
Courant de fuite maximal de la source de sortie (nA) 100
Résultats de l'analyse 1
Résistance maximale de la source de drainage (mOhm) 8.2@10V
Charge de passerelle typique @ Vgs (nC) 42@10V
Charge de porte typique @ 10V (nC) 42
Capacité d'entrée typique @ Vds (pF) 2990@50V
Dissipation de puissance maximale (mW) 125000
Temps de chute typique (ns) 8
Temps de montée typique (ns) 42
Temps de retard typique de débranchement (ns) 31
Temps (s) de retard typique d'allumage 18
Température de fonctionnement minimale ( capturéC) - 55 ans
Température de fonctionnement maximale ( capturéC) 175
Emballage Tape et bobine
Montage Monture de surface
Hauteur du colis 2.41 (maximum)
Largeur du paquet 6.22 (maximum)
Longueur du colis 6.73 (maximum)
PCB modifié 2
- Je ne sais pas. - Je ne sais pas.
Nom du colis standard TO-252
Paquet fournisseur DPAK
Nombre de broches 3
Forme du plomb Les oiseaux de mer

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